Prestasi cemerlang delta kembar InGaAs-InAlAs pHEMT pemodelan linear memberi masa depan yang cerah bagi aplikasi berkelajuan tinggi dan gangguan yang rendah. Pada asasnya, pHEMT adalah teknologi baru untuk transistor yang dijumpai bagi menggantikan transistor biasa kerana berkelajuan inggi dan mempunyai gangguan yang rendah. Walau bagaimanapun, dengan pencapaian cemerlang reka bentuk baru pHEMT, voltan rosak dan kebocoran arus get semasa meningkat dengan ketara kira-kira 73 % dan 99 % masing-masing berbanding dengan reka bentuk konvensional. Struktur konvensional terdiri daripada lapisan kekisi dipadankan dengan InP substrat, tidak termasuk saluran. Dalam struktur maju, halangan atas dan lapisan penjarak adalah tegang di samping saluran. Juga, struktur maju mempunyai dua silikon delta-dop kawasan atas dan di bawah saluran di kawasan untuk persediaan konvensional. Pengedopan delta kembar direka untuk meningkatkan pengurungan 2DEG dalam telaga kuantum InGaAs dan perlu meningkatkan Schottky voltan rosak. Struktur asas pHEMT melibatkan penggunaan 2 bahan yang berbeza untuk heterosimpang, dan ia memberikan prestasi yang lebih baik daripada pHEMT berbanding HEMT. Dalam proses pemodelan, parameter ekstrinsik dan intrinsik harus dikeluarkan. Parameter ekstrinsik terdiri daripada π π π π ,π π ππ,π π ππ,πΏπΏπ π ,πΏπΏππ,πΏπΏππ,πΆπΆππππdan πΆπΆππππmanakala parameter intrinsik adalah terdiri daripada πΆπΆππππ,πΆπΆππππ,πΆπΆππππ,π π ππππ,π π ππ,πΊπΊππ dan ππ. Ekstrinsik diekstrak dan parameter intrinsik kemudiannya diplotkan dalam bentuk grafik secara serentak sebelum menjana model linear akhir. Analisis lanjut mengenai ekstrinsik diekstrak dan parameter intrinsik adalah untuk mengesahkan ketepatan data yang diperolehi dan julat frekuensi terletak dari 100 MHz hingga 40 GHz. Akhir, transistor yang dimodelkan membolehkan pereka untuk meramalkan keluaran sebenar litar sebelum ia boleh difabrikasikan.
_______________________________________________________________________________________________________
Outstanding performance of double delta InGaAs-InAlAs pHEMT linear modelling promotes a bright future for high speed and low noise applications. Basically, pHEMT is the new transistor technology found to replace the ordinary transistor due to its high speed and low noise performance. However, with the outstanding achievements of the new design of pHEMT, the breakdown voltage and gate current leakage are significantly improved about 73% and 99% respectively compared with the conventional design. The conventional structure consists of lattice-matched layers to the InP substrate, excluding the channel. In the advanced structure, the top barrier and spacer layers are strained in addition to the channel. Also, the advanced structure has two silicon delta-doped regions above and below the channel in place of the one region for the conventional setup. Double delta-doping is designed to improve confinement of 2DEG in the InGaAs quantum well and should increase the Schottky breakdown voltage. The basic structure of pHEMT involves the use of 2 different materials for heterojunction, hence promotes a better performance of pHEMT as compared to HEMT. In the modelling process, extrinsic and intrinsic parameters need to be extracted. The extrinsic parameters are comprised of π π π π ,π π ππ,π π ππ,πΏπΏπ π ,πΏπΏππ,πΏπΏππ,πΆπΆππππand πΆπΆππππwhereas the intrinsic parameters are consisted of πΆπΆππππ,πΆπΆππππ,πΆπΆππππ,π π ππππ,π π ππ,πΊπΊππ and ππ. The extracted extrinsic and intrinsic parameters are then plotted in graphical form simultaneously prior to generating the final linear model. The further analysis on extracted extrinsic and intrinsic parameters is carry out to validate the accuracy of the data acquired and frequency range lies from 100 MHz to 40 GHz. In final, a well-modelled transistor enables designers to predict the real output of a circuit before it can be fabricated.
Double delta InGaAs-InAlAs pHEMT linear modelling using ADS / Anis Suhaili Mhd Zuljabar