Dalam kajian ini, bahan InGaAs/AlAs dan GaAs/AlAs digunakan sebagai bahan untuk DBRTD. RTD adalah peranti elektronik yang paling cepat pada masa kini. RTD terdiri daripada dingding kuantum yang diapit di antara dua halangan nipis InGaAs/AlAs dan GaAs/AlAs. Kedua-dua hujung ditamatkan dengan dopan semikonduktor yang tinggi untuk mewujudkan saluran elktrik. Operasi RTD secara fizikal memerlukan masa pengiraan yang terlalu lama. Dalam rekaan bentuk litar, model ini boleh digambarkan dengan berkesan dalam pemodelan struktur analog menggunakan LTspice. Salah satu cara untuk menghasilkan model yang terbina didalam RTD adalah dengan menggunakan kaedah jadual carian dalam sumber semasa kawalan voltan. Dalam rekaan litar RTD, nilai parameter peranti telah dikira dan simulasi untuk mendapatkan lengkung IV. Lengkung IV telah disimulasi untuk disamakan dengan lengkungan yang dimodelkan dan diukur dari kajian yang terdahulu dari Zawai et. al [3] pada 2015 untuk mengekstrak parameter struktur peranti. Kajian simulasi peranti pada perwakilan litar adalah penting juga untuk membawa RTD dalam aplikasi sebenar yang merupakan salah satu objektif kajian. Simulasi rekaan litar menggunakan RTD model yang direka di dalam kajian ini merupakan satu kejayaan dalam membuktikan teori peranti RTD menunjukkan bahawa, bahan-bahan yang berbeza RTD akan menghasilkan keluaran PVCR yang berbeza dan membuktikan teori RTD dengan baik.
_______________________________________________________________________________________________________
In this research, the material InGaAs/AlAs and GaAs/AlAs are used as the material for the double barriers resonant tunneling diode (RTD). RTD is the fastest electronic device to date. RTD consists of a quantum well sandwiched in between two thin barriers InGaAs/AlAs and GaAs/AlAs. Both ends are terminated with a highly doped semiconductor to provide electrical contacts. The operation of RTD physical model requires extremely long calculation time. For circuit design, this model can effectively be described in analog structural modeling using LTspice. One of the ways to implement the built-in model for an RTD is by using lookup table method in the voltage controlled current source. In the circuit representative of RTD, the value of device parameter had been calculated and simulated to get the IV curve. IV curve had been simulated to match the modeled and measured curve which obtained from the previous work by Zawawi et. al [3] in 2015 to extract the structural parameters of the device. The study on device simulation on the circuit representation was important as well in order to bring RTD in real applications which is one of the objectives of the work. The simulation of circuit applying the purposed RTD model in this work was a success in proving the theory of RTD device shows that, different materials of RTD will produce a different peak to valley current ratio (PVCR) while correspond well with the theory of RTD device.
Analog structural modeling of resonant tunneling diode using ltspice / Wan Nurnabilah Zaharim