Tujuan projek ini adalah untuk melaksanakan dan mencirikan suatu keadaan tunggal Transistor Kebolehgerakan Elektron Tinggi Psudomorfik Penguat Hingar Rendah pada 4GHz. Penguat Hingar Rendah yang digunakan untuk projek ini adalah MGA-72543 keluaran Agilent mempunyai frekuansi pengoperasian antara 0.1 GHz sehingga 6.0 GHz. Penguat Hingar Rendah GaAs MMIC yang ekonomik dan mudah digunakan ini direka untuk Penguat Hingar Rendah penerima CDMA suai dan penguat pemacu penghantar CDMA suai. Penguat Hingar Rendah ini mempunyai angka hangar sebanyak 1.4dB dan gandaan sebanyak 14dB daripada satu peringkat, penguat FET suapbalik. Kuantiti yang diukur adalah pekali pemantulan masukan, S11; gandaan, S21; angka hangar, NF; pemampatan P1dB dan titik pintasan masukan tertib-tiga, IIP3. Penguat Hingar Rendah tersebut mempunya fungsi suis pirau dalam cip dan juga IIP3 boleh ubah. Masukan MGA-
72543 optimum sepadan secara dalaman untuk hingar rendah. Walaubagaimanapun, pemadanan pada masukan boleh ditambah secara luaran untuk nisbah gelombang pegun voltan yang rendah. Simulasi juga telah dilaksanakan. Walaubagaimanapun, hanya simulasi terhadap pekali pemantulan masukan, S11; gandaan, S21 dan hangar rendah, NF sahaja yang dapat dilakukan dengan menggunakan Penguat Hingar Rendah model Sparameter. Simulasi terhadap kelinearan memerlukan Penguat Hingar Rendah model isyarat besar. Model isyarat besar tidak terdapat dalam perisan ADS. Pencirian memberikan pemahaman yang mendalam kepada prestasi skim Penguat Hingar Rendah GaAs.
_________________________________________________________________________________________
The purpose of this project is to implement and characterize a single state Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT) Low Noise Amplifier (LNA) at 4GHz. The LNA used in this project is Agilent’s MGA-72543 which has an operating frequency from 0.1 GHz to 6.0 GHz. This economical, easy-to-use GaAs MMIC Low Noise Amplifier (LNA) is designed for an adaptive CDMA receiver LNA and adaptive
CDMA transmit driver amplifier. This LNA features a minimum noise figure of 1.4dB and 14dB associated gain from a single stage, feedback FET amplifier. It is housed in the SOT343 package and is part of the Agilent Technologies CDMA RF chipset. The quantities measured are input reflection coefficient, S11; gain, S21; noise figure, NF; P1 dB compression and input third-order intercept point, IIP3. The LNA has a bypass switch
function on chip as well as an adjustable IIP3. The input of the MGA-72543 is internally optimally matched for a low noise figure. However, the input is additionally externally matched for a lower voltage standing wave ratio, VSWR. A simulation has also been performed. However, only the simulation on input reflection coefficient, S11; gain, S21 and noise figure, NF could be done by using Low Noise Amplifier S-parameter model the simulation against the linearity needs the usage of Low Noise Amplifier S-parameter large signal model. This particular model signal is not availabe in the ADS software. The characterization gives full insight into the performance of the GaAs Low Noise Amplifier scheme.
Implementation and characterization of low noise amplifier at 4ghz using rf test board_Khursiah Zainal Mokhtar_E3_2006_NI