Fokus kajian ini adalah untuk meningkatkan transistor Konvensional Pseudomorfik Tinggi Elektron Mobiliti dengan menggunakan bahan InGaAs/InAlAs/InP. Kelemahan utama peranti Kovensional pHEMT seperti kerosakan voltan yang sangat rendah dan arus bocor yang sangat tinggi memberi prestasi yang buruk dalam litar elektronik terutama untuk aplikasi bunyi yang rendah yang beroperasi di Litar Bersepadu Gelombang Mikro Monolitik. Bahan peranti submikron pHEMT dengan dipadankan struktur kekisi menghasilkan mobiliti yang tinggi dan peranti frekuensi yang tinggi di bawah suhu rendah. Pencirian panjang pintu 0.5 μm memberikan beberapa penambahbaikan dalam menganalisis keputusan DC dan RF berbanding dengan peranti dengan panjang pintu 1 μm. Kemudian, penambahbaikan bahan Konvensional pHEMT InGaAs / InAlAs / InP konvensional boleh mencapai frekuensi operasi yang lebih tinggi. Berdasarkan analisis keputusan, ia menunjukkan prestasi yang cemerlang. Konvensional pHEMT boleh mencapai 50 GHz frekuensi potongan. Peningkatan yang sangat baik menunjukkan bahawa voltan kerosakan boleh diperbaiki sehingga 70 %, manakala lebih daripada 90 % untuk kebocoran arus tanpa menjejaskan ciri-ciri RF. Peratusan fT dan fmax juga meningkat sebanyak 58 % dan 33 % disebabkan oleh panjang pintu submikron. Pengurangan panjang pintu bahan submikron InGaAs/InAlAs/InP membolehkan kerosakan voltan tinggi dan arus bocor rendah bersesuaian untuk aplikasi bunyi rendah.
_______________________________________________________________________________________________________
The focus of this research is to improve the Conventional pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMTs) by using InGaAs/InAlAs/InP materials. The major disadvantages of Conventional pHEMT devices are very low breakdown voltage and very high leakage current give a bad performance in electronic circuitry especially for low noise applications (LNA) operating in Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC). The submicron devices of pHEMT materials with lattice-matched structure produce high mobility and high frequency devices under low temperature. The characterization of 0.5 μm gate length of devices definitely give some improvements while analyse the DC and RF results as compared to 1 μm gate length devices. Then, the improvement of conventional pHEMT InGaAs/InAlAs/InP materials can achieve a higher frequency operation. Based on the analysis of the results, it shows outstanding performance. The cut-off frequency can reach 50 GHz of Improved pHEMT. The excellent improvement demonstrate that the breakdown voltage can be improved up to 70 %, while over than 90 % for gate leakage current without affecting RF characteristics. The percentages of fT and fmax also increase by 58 % and 33 % due to the submicron gate length. The reduction of gate length of submicron InGaAs/InAlAs/InP materials enable high breakdown voltage and low leakage current which are suitable for low noise applications.
Characterization of submicron InGaAs-InAlAs LOW temperature buffer Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT) for low noise applications / Siti Fatimah Shamsudin Chua