Minat yang kian berkembang dalam bidang struktur perigi kuantum, peningkatan idea doping modulasi, pemahaman yang lebih mendalam mengenai sistem pertumbuhan kristal terutamanya melalui “Molecular Beam Epitaxy” (MBE) manjadi pencetus kemajuan pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). Melalui pelbagai jenis ujian, pHEMT menunjukkan kapasiti prestasi “microwave” yang lebih baik jika dibandingkan dengan “Field Effect Transistor” (FET). Hal ini menjadi faktor pendorong utama bagi pHEMT untuk menggantikan FET standard komersial. Kajian lanjut telah dijalankan untuk memahami dan menganalisis transistor ini menggunakan syarat bunyi yang rendah dan syarat frekuensi tinggi. Hal ini membolehkan kemajuan dalam bidang elektronik kelajuan tinggi secara komersial serta aplikasi ketenteraan. Dalam kajian ini, kelebihan pHEMT berbanding dengan pendahulunya dikenal pasti dan difahami. Konsep asas di sebalik kajian ini adalah untuk memahami dan menganalisis penambahbaikan peranti pHEMT konvensional dari segi prestasi yang diukur menggunakan arus terus (DC) dan Frekuensi Radio (RF). Perbandingan di antara “Conventional” pHEMT XMBE171 dan Advanced pHEMT XMBE 210 dianalisis secara sistematik, teliti, dan terperinci. Kajian ini melibatkan pencirian 1.0 mikron InGaAs / InAlAs pHEMT untuk elektronik kelajuan tinggi. Alat utama dan teknik yang digunakan untuk kajian ini diterangkan secara jelas. Kaedah pengukuran dan pengiraan parameter yang serta nilai-nilai yang diukur diterangkan secara jelas terutama penggunaan alat penting seperti “Semiconductor Parameter Analyser” (SPA) dan “Vector Network Analyser” (VNA). Kajian ini membolehkan kita memahami perbezaan dalam standard prestasi antara XMBE171 dan XMBE210 dan menyimpulkan kesesuaian penggunaan untuk elektronik kelajuan tinggi berasaskan syarat bunyi yang rendah dan syarat frekuensi tinggi.
_______________________________________________________________________________________________________
An expanding enthusiasm for the behaviour of quantum well structures, improvement of the modulation doping idea, more profound comprehension of the crystal growth system particularly by means of molecular beam epitaxy (MBE) fuelled the advancement of the pseudomorhpic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). Through different types of testing, pHEMTs showed predominant microwave performance capacities against traditional field effect transistors. This prompted pHEMTs to replace standard FETs commercially. Further studies were conducted to understand and analyse the behaviour of these transistors in low noise and high frequency conditions.. In this study, we strive to identify and understand the advantages of pHEMTs in comparison to its predecessors. The fundamental concept behind this study is to understand and analyse the improvisation on the conventional low-noise pHEMT device in terms of performance, gauged by Direct Current (DC) and Radio Frequency (RF) characteristics. We attempt to achieve that systematically in this study by performing a careful and detailed analysis and comparison between the Conventional pHEMT XMBE171 and the Advanced pHEMT XMBE 210. The study involves the characterisation of the 1.0 μm InGaAs/InAlAs pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT) for high speed electronics. The key tools and techniques used for this study are clearly described. Methods of measurement as well as calculation of relevant parameters with respect to the measured values are clearly defined and explained especially the usage of important tools such as the Semiconductor Parameter Analyser (SPA) and the Vector Network Analyser (VNA). This study helped us to understand the differences in performance standards between the XMBE171 and the XMBE210 and to deduce the suitability of usage for high-speed electronics based on low noise and high frequency performance characteristics.
Characterisation of 1.0 μM InGaAs-InAlAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) for high speed electronics / Saranyah Vijayan