Diod salunan terowong (RTD) merupakan sejenis peranti elektonik yang telah dikaji dengan kerap oleh pelbagai penyelidik. Kekerapan ini adalah kerana peningkatan kepada permintaan dan keperluan kepada diod salunan terowong yang memiliki keupayaan untuk menanggung kekerapan yang berjumlah terahertz. Kelajuan kekerapan yang sangat tinggi daripada diod salunan terowong telah membolehkan penciptaan yang pelbagai untuk aplikasi dalam system komunikasi dan dalam pengimejan system untuk persekitaran penglihatan yang rendah. Diod salunan terowong berfungsi menggunakan quantum mekanikal bagi menghasilkan pengkamiran negatif. Fungsi projek ini dijalankan adalah untuk memahami mekanisma kauntum yang membolehkan RTD beroperasi. Selain itu juga, hubungan parameter fizikal RTD dan ciri-ciri I-V juga dikaji untuk lebih memahami sifat-sifat RTD. Seterusnya lengkungan I-V juga diselidik dan kesan perubahan parameter fizikal RTD kepada lengkungan I-V disiasat dengan lebih detail. Perisian simulasi Silvaco digunakan untuk menjalankan kajian keatas dua model RTD iaitu XMBE66 and XMBE230. Alat simulasi berdasrkan Tak Seimbang Fungsi Green (Non-Equilibirum Green Function, NEGF) yang menggunakan pendekatan masa berkesan telah digunakan dalam kuantum penghantaran simulasi ini. Simulasi ini juga dijalankan dengan model RTD yang berlainan lapisan epixatial untuk menyiasat kesan-kesan perubahannya keatas ciri-ciri I-V. Akhir sekali, kedua-dua ciri-ciri arus-voltan yang disimulasi dan ukuran RTD telah dibandingkan untuk mendapatkan penyesuaian yang terbaik dengan mengubah lapisan epilayer.
_______________________________________________________________________________________________________
Resonant tunneling diode (RTD) is a type of electronic device that has been reviewed regularly by various researchers. The increasing in number of studying about RTD is because of increased demand and the need to resonant tunneling diodes that have the ability to bear the frequency of terahertz. The very high switching speeds frequency of the resonant tunneling diode has enabled the creation of a wide range of applications in the communication system and the imaging system for low-visibility environment. Resonant tunneling diodes using quantum mechanical works to produce a negative differential resistance (NDR). The function of this project is to understand the mechanism that allows RTD operates in quantum mechanical. In addition, the relationship of physical parameters and RTD I-V characteristics were also studied for a better understanding about the properties of RTD. The characteristics of I-V curves are also investigated and the effect of changes in the physical parameters of the RTD to the I-V graph is study in more details. Silvaco simulation software is used to carry out the studies on two model namely XMBE66 and XMBE230 RTD. A simulation tool based on Green function (Non-Equilibrium Green Function, NEGF) which use effective mass approach has been employed in this quantum transport simulation. This simulation model was also run with different layers epitaxial RTD to investigate the effects of the changes on the characteristics IV. Finally, both of the simulation and measured result of I-V graph were compared to get the best fit by varying the epilayer.
Modelling of advanced iii-v compound semiconductor devices / Nik Nor Amirah Rozik