Substrat pandu gelombang bersepadu yang baru muncul merupakan teknologi yang menjanjikan dalam perkembangan gelombang mikro dan gelombang milimeter. Substrat pandu gelombang bersepadu merupakan penyepaduan pandu gelombang segi empat tepat dan litar satah. Ia mempunyai kelebihan kedua-dua teknologi pandu gelombang segi empat tepat dan litar satah. Teknologi ini boleh diaplikasi dalam komponen yang berbeza, contohnya penuras, antena, pengayun, penguat dan lain-lain. Dalam projek ini, aplikasi teknologi tersebut dalam penuras telah dibincangkan. Tujuan projek ini adalah untuk mendapatkan penuras lintasan jalur substrat pandu gelombang bersepadu tetingkap simetri yang mempunyai kehilangan pulangan yang tinggi dan kehilangan sisipan yang rendah. Reka bentuk substrat pandu gelombang bersepadu dibincangkan secara terperinci, terutamanya penuras lintasan jalur substrat pandu gelombang bersepadu tetingkap simetri. Penuras ini direka bentuk pada frequensi X-band dengan jalur lulus 8.5 GHz hingga 9.5 GHz. Lima perintah 0.5 dB riak respon penuras Chebyshev digunakan untuk mereka bentuk penuras lintasan jalur substrat pandu gelombang bersepadu tetingkap simetri. Langkah-langkah reka bentuk untuk mendapatkan kelebaran tetingkap simetri dan panjang rongga tetingkap substrat pandu gelombang bersepadu telah ditunjukkan secara terperinci dalam projek ini. Reka bentuk penuras yang memenuhi spesifikasi telah difabrikasi atas lapisan tunggal substrat Duroid RO4003C dengan menggunakan proses papan litar bercetak (PCB). Keputusan simulasi dan experimentasi telah dibandingkan dan dianalisasi. Konklusi boleh dibuat bahawa keputusan experimentasi menunjukkan penuras mempunyai S11 -26.94 dB dan S12 -1.78 dB pada frekuensi 9.4 GHz.
_______________________________________________________________________________________________________
Substrate integrated waveguide (SIW) has been recently emerged to be a promising technology in the development of microwave and millimetre-wave field. SIW is the integration of rectangular waveguide and planar circuit. It exhibits advantages from both technologies. SIW can be applied in different components, such as filter, antennas, oscillators, amplifiers and others. In this project, the application of SIW technology based on filter is discussed. The aim of this project is to obtain a SIW symmetrical window bandpass filter with high return loss and low insertion loss. The design of SIW filter is explained in detail, especially SIW symmetrical window bandpass filter. The filter is designed within X-band frequency with passband of 8.5 GHz to 9.5 GHz. 5th order 0.5 dB ripple Chebyshev filter response is used to design SIW symmetrical window bandpass filter. The design procedures in obtaining width of symmetrical windows and length of SIW window cavity are shown in detail in this project. The filter design that fulfills the specifications is fabricated on a single layer Duroid RO4003C substrate using printed circuit board (PCB) process. The simulated result and measured result are compared and analysed. Hence, it can be concluded that the measured has S11 of -26.94 dB and S12 of -1.78 dB at centre frequency of 9.4 GHz.
Design of substrate integrated waveguide symmetrical window bandpass filter / Fong Mei Ling