Secara keseluruhan, DBRTD merupakan satu peranti dua terminal yang menggunakan teori kuantum mekanik. Kuantum mekanik menganggap partikel sebagai partikel gelombang di mana partikel tersebut mempunyai sesuatu kebarangkalian untuk wujud di suatu tempat dan kebarangkalian lain untuk wujud di suatu tempat yang lain. Fenomena ini telah ditunjukkan pada peranti RTD di mana mekanisme penerowongan merupakan akibat daripada tingkah laku kuantum. Pemodelan kuantum peranti RTD menyampaikan kerja untuk membuktikan teori dan prinsip operasi peranti tersebut. Di samping itu, lengkungan arus-voltan telah disimulasikan untuk memadankan lengkungan antara yang dimodelkan dan yang diukurkan dengan tujuan untuk mengekstrak dan mendapatkan parameter-parameter struktur peranti RTD. Seterusnya, NDR yang ditunjukkan oleh peranti RTD melanggar undang-undang asas arus-voltan yang telah dinyatakan oleh hukum Ohm dengan menunjukkan hubungan berkadar songsang antara arus dan voltan. Namun begitu, di sebaliknya ciri-ciri ini membolehkan peranti ini mampu mengendalikan dan beroperasi dalam frekuensi yang tinggi iaitu dalam skala Terahertz. Selain daripada mempelajari dan memahami parameter-parameter struktur peranti RTD dan kesannya pada prestasi keseluruhan peranti, litar simulasi pada peranti RTD juga memainkan peranan yang penting untuk membawa RTD dalam aplikasi-aplikasi sebenar dalam industri malahan juga merupakan salah satu daripada objektif kerja ini. Simulasi yang telah dijalankan untuk kedua-dua perwakilan peranti iaitu dalam struktural dan bentuk litar merupakan kerja yang berjaya dan boleh digunakan sebagai rujukan untuk pembangunan peranti RTD pada masa akan datang.
_______________________________________________________________________________________________________
In overview, double barriers GaAs/AlAs resonant tunnelling diode is a two terminals device which employ the theory of quantum mechanics. Quantum mechanics treat particles as a wave-like particle with the probability that a particle can exist in one place and some probability in another place. This phenomenon is best showed in RTD device in which the tunnelling mechanisms was the consequences of quantum behaviour. Quantum modelling of RTD device present the work to prove the theory and principle operation of the device. In addition, IV curve had been simulated to match/fit the modelled and measured curve in order to extract the structural parameters of the device. Negative differential resistance (NDR) region presented by RTD against the basic law of current-voltage relationships as stated by Ohm’s law by showing the relationships as inversely proportional to each other. However, this characteristic enables the device capable of handling high frequency in the range of Terahertz. Other than the study on device structural parameters on device’s overall performance, the simulation on the device circuit representation was important as well in order to bring RTD in real applications which is one of the objective of the work. The simulation of both structural and circuit representation in this work was a success in proving the theory of RTD device and extracting the device structural parameters which can be used as a reference for future development of the device.
Quantum device- modelling of the GAAS-ALAS resonant tunnelling diode / Lee Tzer Bin