Sejak kebelakangan ini, penguatkuasa rendah kehingaran (LNA) kerap digunakan dalam alat telekomunikasi frekuensi radio (RF), terutamanya dalam telefon bimbit dan rangkaian tanpa wayar. Hal ini disebabkan penguatkuasa rendah kehingaran ini merupakan penerima peringkat pertama dan rangkaian litar selepas antena menerima isyarat luar. Fungsi utama LNA dalam aplikasi jalur lebar ialah menguatkuasakan isyarat penerima yang lemah dan mendapatkan kehingaran sekecil yang boleh. Selain itu, LNA juga harus mempunyai gandaan yang tinggi dan juga kuasa yang rendah dimana dapat mengatasi kehingaran pada peringkat seterusnya (campuran). Projek ini menumpu kepada reka bentuk dan implimentasi jalur lebar induktif digenerasi bersepadu rangkaian LNA. Litar LNA ini berupaya menjana frekuensi jalur tunggal dengan menggunakan teknologi Silterra 0.13 µm CMOS ini dalam penyumbangan 500 MHz dan 3 GHz frekuensi jalur.Proses mereka bentuk bermula dengan mereka bentuk LNA jalur sempit sehingga litar tersebut dapat beroperasi dalam jalur lebar. Bagi mencapai matlamat jalur lebar tersebut, penapis RF telah digunakan di peringkat masukan. Hasil simulasi menunjukkan bahawa litar yang direka hanya memerlukan sumber kuasa sebanyak 1.2 V untuk mencapai pekali pantulan kuasa masukan, S11 -10 dB (763 MHz
- 2.91 GHz), gandaan kuasa S21 17.02 dB, pengasingan balikan S12 -56 dB, pekali pantulan kuasa keluaran S22 -13.58 dB dan NF 2.83 dB. Gunaan kuasa ialah sebanyak 22.8 mW.
______________________________________________________________________________________
Low Noise Amplifier (LNA) nowadays is widely used in radio frequency (RF) communication device, especially in mobile phone and wireless network. It is because LNA is the first receiver circuit stage after the antenna receives the incoming signal from outside. The main function of LNA in wideband application is to amplify the weak incoming RF signal and obtain little noise as low as possible. Besides that, LNA also need high gain, and low power consumption which able to overcome the noise of next stage in circuitry (mixer). This project presents the design and implementation of wideband the inductively degenerated cascode LNA circuit. This proposed LNA will able to generate wideband frequency by using Silterra 0.13 µm CMOS technology for 500 MHz and 3 GHz band frequencies. The designing processes begin with designing narrowband LNA until it able to operate in broadband frequency. To achieve this wideband requirement, RF microwave filter was implemented at the input stage of the design. The simulation results show that the design requires about 1.2V input voltage to achieve a input reflection coefficient S11 of -10 dB (763 MHz - 2.91 GHz), power gain S21 of 17.02 dB, reverse isolation S12 -56 dB, output reflection coefficient S22 -
13.58 dB and noise figure of 2.83 dB. Total power consumption is 22.8 mW.
Cmos broadband low noise amplifier_Muhammad Firdaus Pisol_E3_2014_NI