Sejak kebelakangan ini, teknologi CMOS telah digunakan dengan meluas
dalam pelbagai penggunaan termasuk penderia bayangan. Untuk imej sinar-X,
teknologi CMOS digunakan dalam litar baca keluar untuk penderia. Struktur asas
penderia bayangan CMOS mengandungi dua tatasusunan dimensi pixel dan litar-litar
sampingan. Menukar imej kepada isyarat elektrik dilakukan oleh sekumpulan pixel
yang disusun dalam satu struktur berbentuk segi empat tepat yang dipanggil sebagai
pameran. Oleh kerana tatasusunan pixel sebahagian besarnya menetapkan
pengimejan kualiti penderia CMOS, ia penting memperincikan struktur dalaman.
Struktur pixel yang digunakan dapat dikategorikan ke dalam tiga jenis, iaitu Passive
Pixel Sensor (PPS), Active Pixel Sensor (APS) dan Digital Pixel Sensor (DPS). DPS
ialah struktur terbaru dan mempunyai banyak kelebihan daripada PPS and APS.
Dalam DPS, setiap pixel mengandungi fotopengesan, sistem pertukaran analog
kepada digital dan kadang-kadang ingatan digital untuk menyimpan nilai penukaran ini.
Sistem pertukaran analog kepada digital yang telah dicadangkan ialah struktur-struktur
sigma delta yang mempunyai resolusi-resolusi lebih baik dan membenarkan litar data
penukar menjadi mudah dan tidak sensitif proses variasi. Pemodulat delta sigma
mengandungi tiga litar utama iaitu pengamir, pembanding dan penukar 1-bit digital ke
analog litar. Tesis ini akan fokus kepada pengamir dan pembanding dalam pemodulat
delta Sigma litar dan analisis untuk kedua-dua litar-litar.
_______________________________________________________________________________________________________
Recently, CMOS technology has been widely used in many applications
including image sensor. For X-ray images, CMOS technology is used in the
readout circuit of the sensors. The basic structure of a CMOS image sensor
contains of two dimensional array of pixels and peripheral circuits. Converting
the image into electrical signals is performed by a group of pixels that are
arranged in a structure of a rectangular form called an array. Since the array of
pixels largely determines the image quality of a CMOS sensor, it is important to
detail the internal structure. The pixel structure used can be categorized into
three types, which are Passive Pixel Sensor (PPS), Active Pixel Sensor (APS)
and Digital Pixel Sensor (DPS). DPS is latest structure and has many
advantages compared with PPS and APS. In DPS, each pixel contains the
photodetector, the A/D conversion system and sometimes the digital memory to
keep the value of this conversion. The A/D conversion system that has been
proposed is Sigma-delta structures which have better resolutions and allows the
data-conversion circuitry to be simple and insensitive to process variations.
Sigma-delta modulator consists of three main circuits which are integrator,
comparator and 1-bit digital-to-analog converter (DAC) circuits. This thesis will
focus on Integrator and comparator in the Sigma-delta modulator circuit and the
analysis of both circuits.
Design of integrator and comparator in pixel readout circuit / Su'aidah Mohamed Ghazali