Projek ini adalah mengenai kajian dan reka bentuk rangkaian penguat kuasa RF. Perkembangan
yang pesat oleh komunikasi nirkabel memerlukan yang lebih maju dan prestasi tinggi daripada
rangkaian penguat kuasa. Penguat kuasa memainkan peranan penting dalam menukarkan
kuasa masukan arus searah kepada RF/gelombang mikro yang signifikan sehingga isyarat RF
mempunyai kuasa yang cukup supaya dihantar melalui antena. Namun begitu, penguat kuasa
sendiri merupakan bahagian yang mengkonsumsi paling banyak kuasa dan juga penyebab utama
distorsi isyarat dalam rangkaian transceiver. Penguat kuasa kelas E, yang diperkenalkan oleh
Sokal, mempunyai saluran kecekapan yang unggul dan ketegangan yang rendah dalam transistor
degan tidak ada voltan dan arus yang tinggi pada masa yang sama dalam transistor. Ini
mampu mengurangkan disipasi kuasa. Perhatikan bahawa transistor merupakan penyumbang
kekurangan kekuatan yang utama dalam rangkaian penguat kuasa. Dalam projek ini, penguat
kuasa kelas E beroperasi pada frekuensi 2:4 GHz, 72:68 % saluran kecekapan, 14;8642 mW
kuasa keluaran dengan 3 bentuk litar yang berbeza dengan menggunakan 0:13 mm telah simulasi.
Ketepatan hasil simulasi disahkan oleh kajian latar belakang. Dengan membandingkan 3
litar tersebut, penguat kuasa kelas E dengan sumber yang sama dan sumber pengikut sebagai
tahap pra-penguat mempunyai nilai kuasa untungan yang tertinggi antara 3 litar tersebut.
_____________________________________________________________________________________
This project is about the study and design of RF power amplifier circuit. The rapid growth of
wireless communications requires more advanced and high performance of the power amplifier
circuit. Power amplifier play a important role to convert dc-input power into significant amount
of RF/ microwave output power so that the RF signal have enough power transmit trough an
antenna. However, the power amplifier itself is the most power consuming part and also the main
cause of signal distortion in a transceiver circuit. The class E amplifier, introduced by Sokal, has
superior drain efficiency and low stress on the transistor in which no simultaneous high voltage
and high current in the transistor; that minimizes power dissipation. Notice that transistor is the
major power losses contributor in power amplifier circuit. In this project, class E power amplifier
with 2:4 GHz operating frequency, 72:68 % drain efficiency, 14:8642 mW of output power with
3 different circuit configurations by using 0:13 mm were being simulated. The accuracy of the
simulation results were verified by the literature. By comparing the 3 configurations, class E
power amplifier with common source and source follower as the pre-amplifier stage has the
highest power gain value among the 3 configuration.
design of RF power amplifier circuit.; cause of signal distortion in a transceiver circuit.; convert dc-input power into significant amount
of RF/ microwave output power
Design of class e power amplifier_Yeong Chee Yan_E3_2010_875003594_00003084286_NI