Revolusi maklumat semasa telah meningkatkan potensi perkongsian maklumat seluruh dunia dengan secara mendadak. Dengan ini, system komunikasi tanpa wayar seperti Wi-Fi dan Bluetooth yang beroperasi di dalam jalur S telah diterokai secara meluas. Penguat hingar rendah berperingkat satu telah direka bentuk untuk sistem telekomunikasi berfungsi jalur S. Transistor ATF-34143 pHEMT telah dipilih sebagai komponent utama dalam reka bentuk penguat hingar rendah ini. Penguat hingar rendah berjalur lebar yang telah dicadangkan direkabentuk dengan menggunakan Advanced Design System 2011.01. Pencekik frekuensi radio telah digunakan dalam seksyen pincangan transistor untuk menghalangkan isyarat frekuensi radio daripada terganggu dengan reka bentuk ini. Teknik padanan galangan yang digunakan dalam reka bentuk ini ialah puntung pirau terbuka yang merupakan teknik puntung tunggal yang paling sesuai dengan reka bentuk mikrostrip. Penguat hingar rendah berjalur lebar ini telah difabrikasikan pada papan ROGER RO4003C. Nilai pengukuran telah menunjukkan bahawa penguat hingar rendah berjalur lebar yang dicadangkan mempunyai gandaan positif yang lebih daripada 4.5dB, angka hingar yang kurang daripada 2dB, input kehilangan pulangan dan output kehilangan pulangan yang kurang daripada -5dB sepanjang jalur S. Sepanjang jalur S, penguat hingar rendah berjalur lebar yang direkabentuk berfungsi dengan lebih baik pada frekuensi antara 3.3GHz sehingga 3.9GHz. Penguat hingar rendah telah menunjukkan angka hingar yang kurang daripada 2dB, gandaan positif yang lebih daripada 5dB, input kehilangan pulangan yang kurang daripada -12dB dan output kehilangan pulangan yang kurang daripada -8dB sepanjang 600MHz. Walaupun angka hingar yang dihasratkan untuk penguat hingar rendah adalah kurang daripada 1dB, angka hingar yang sebenar turun naik antara 1dB dengan 2dB xi
disebabkan kewujudan hingar luar yang diperolehi daripada kabel penghantaran dan peralatan frekuensi radio seperti rangkaian penganalisa.
_______________________________________________________________________________________________________
Current information revolution is dramatically increasing the potential for sharing information across the globe. By this, wireless communication system such as Wi-Fi and Bluetooth which works in the S-band has been widely explored. A single stage low noise amplifier has been designed for S-band telecommunication system. ATF-34143 pHEMT transistor is selected as the main component in this low noise amplifier design. The proposed wideband low noise amplifier is designed using Advanced Design System 2011.01.Radio frequency chokes are used in the biasing sections of transistor, so that the radio frequency signals will not interfere with the design. The technique of impedance matching used in this design is open shunt stub, which is one of the single stub tuning techniques that suit microstrip design the most. The wideband low noise amplifier is fabricated on ROGER RO4003C board. The measured results showed the proposed wideband low noise amplifier has a positive gain more than 4.5dB, noise figure less than 2dB, input return loss and output return loss less than -5dB over the entire S-band. Over the entire S-band, the designed wideband low noise amplifier can work best at frequency ranging from 3.3GHz to 3.9GHz. The low noise amplifier showed again greater than 5dB, input return loss less than -12dB and output return loss less than -8dB and a noise figure less than 2dB over 600MHz bandwidth. Although the intended noise figure for low noise amplifier is less than 1dB, the real noise figure is fluctuated between 1dB and 2dB due to the existence of external noise obtained from transmission cable and radio frequency equipment such as network analyzer.
Microstrip design of low noise amplifier for s-band application / Chong Xin Rou