Projek ini menggunakan teknik merekabentuk penguat kuasa Doherty berbilang
jalur. Penguat kuasa ini direka dengan menggunakan reka bentuk secara selari. Penguat kuasa Doherty ini terdiri daripada penguat kuasa pemuncak dan penguat kuasa pembawa. Penguat kuasa pemuncak dan pembawa yang digunakan ialah ATF 55143 daripada Avago Technologies. Rekabentuk penguat kuasa Doherty ini ialah berdasarkan teknik pemadanan beban. Fokus utama projek ini ialah untuk mensimulasi rekabentuk Doherty tersebut dengan menggunakan transistor ATF 55143 dan pembilah kuasa masukan Wilkinson. Projek ini bertujuan untuk mencapai frekuensi keluaran dalam jangkaan 2
GHz hingga capaian 3 GHz. Projek ini juga bertujuan untuk menggunakan komponen seperti transistor GaAs PHEMT dan komponen pasif yang lebih rendah kos untuk menghasilkan keluaran yang dapat dicapai oleh komponen GaN yang tinggi kosnya. Perisian yang digunakan untuk mereka bentuk projek ini ialah Agilent Advanced Design Systems (ADS). Simulasi projek ini telah dilakukan mengikut parameter pada substrat Roger RO 4360 yang mempunyai pemalar dielektrik 6.15 dan ketinggian 0.508 mm. Pada akhir simulasi, keputusan yang telah diperoleh ialah keluaran frekuensi jalur bawah sebanyak 2.1 GHz dengan kuasa keluarannya sebanyak 19.61 dBm dan keluaran frekuensi jalur atas mencapai 2.7 GHz dengan kuasa keluaran mencapai nilai 24.158 dBm.
______________________________________________________________________________________
Conventional power amplifiers consumes high energy while most of the energy used are wasted through dissipation. Besides that, conventional power amplifiers also have a limitation of functioning only in a single frequency band. Due to that, a dual band Doherty power amplifier is designed as motivated by the conventional power amplifier’s limitation. The carrier and peaking amplifiers used are the ATF 55143, GaAs PHEMT transistor from AVAGO Technologies. The Doherty architecture is mainly designed by reactance matching using lumped components on a microstrip. The main focus of this project is to simulate the design by using the ATF 55143 transistor with a Wilkinson power divider at the input. The architecture is aimed to produce results of multi band capability from the range of 2 GHz to at least 3 GHz. This project aims to produce a low cost design compared to GaN Doherty power amplifier which are at a higher cost. The multi band Doherty power amplifier design is simulated using Agilent Advanced Design System (ADS). The design is simulated according to the Roger’s RO 4360 substrate of dielectric constant of 6.15 and thickness of 0.508 mm. The result of this project simulation is that the multi band or dual band in this case has been achieved. The frequency band produced are the lower band frequency at 2.1 GHz with output power
19.61 dBm and the upper band frequency, 2.7 GHz with output power 24.158 dBm.
Multi band doherty power amplifier_Daviinder Raj Siva Sankar_E3_2014_NI