Faktor kestabilan dan teknik sepadan bagi penguat gelombang mikro merupakan perbincangan penting untuk mengekalkan prestasi yang diperlukan, seperti kuasa tinggi bagi penguat kuasa tinggi dan bunyi hingar yang rendah bagi penguat hingar rendah. Pada masa yang sama, isu-isu kestabilan juga memerlukan perhatian yang utama untuk mengelakkan kehadiran ayunan dan menjadikan ianya berjaya berfungsi sebagai penguat. Biasanya, faktor kestabilan dan teknik padanan penguat bergantung terhadap frekuensi. Oleh itu, satu mekanisma pembolehubah frekuensi diperlukan untuk memastikan frekuensi bagi penguat tersebut berada di dalam kawasan yang stabil. Pengayun dielektrik dijadikan sebagai mekanisma pembolehubah frekuensi untuk mengatasi masalah tersebut yang dinilai pada parameter fizikal dan bahannya dengan topologi berlainan bagi mikrostrip selari. Konfigurasi terbaik pengayun dielektrik yang diperolehi diwakili oleh konfigurasi lengkungan 155° dengan jarak mikrostrip selari 19 mm untuk kedudukan liang pandu gelombang yang sama. Konfigurasi pengayun dielektrik ini dipadankan sebagai model padanan pengayun dielektrik untuk prestasi kestabilan penguat gelombang mikro. Penyiasatan ini dinilai untuk penguat yang berkeadaan stabil bersyarat dan tidak bersyarat pada 5 GHz. Disamping itu, kepelbagaian ketelusan dielektrik baru dibangunkan oleh tindak balas parameter sebaran yang merujuk kepada penyiasatan transistor sebelumnya, terutama pada aplikasi penyalun pengayun dielektrik. Perolehan ketelusan dielektrik baru yang merujuk kepada operasi frekuensi stabil bagi transistor terdahulu yang digunakan diadaptasikan ke dalam konfigurasi terbaik pengayun dielektrik yang dicadangkan sebagai pengayun dielektrik homogen. Sebagai keputusannya, model padanan pengayun dielektrik boleh digunakan untuk kedua-dua transistor yang berkeadaan stabil bersyarat dan tidak bersyarat untuk mengekalkan prestasi kestabilannya. Tambahan pula, model padanan pengayun dielektrik yang dicadangkan berpotensi untuk bertindak sebagai mekanisma pembolehubah frekuensi dengan menggunakan ketelusan dielektrik yang berlainan. Prestasi kestabilan lebih besar daripada 1 yang mana menunjukkan penguat gelombang mikro beroperasi di kawasan yang stabil dan berjaya meminimumkan kejadian ayunan. Pada masa yang sama, model padanan pengayun dielektrik adalah lebih mudah untuk melakukan penyelarasan selepas fabrikasi berbanding kaedah padanan konvensional bagi gelombang mikro.
_______________________________________________________________________
The stability factor and matching techniques on microwave amplifier have been an important consideration in order to maintain the required performances, such as high power for the high power amplifier and low noise for low noise amplifier. Simultaneously, the issues of stability need more attention to avoid the presence of the oscillations and make it performs as the amplifier without failed. Typically, the stability factor and matching techniques of the amplifier are frequency dependent. Thus, a variable frequency mechanism is required in order to ascertain the amplifier to be operated resides within the stable region. The dielectric resonator is incorporated as the variable frequency mechanism purposely to tackle this issue. The characteristics of the dielectric resonator are evaluated on their physical parameter and material with different topologies of the parallel microstrip line. The obtained best configuration of the dielectric resonator is represented by the 155 ° curves configuration with 19 mm parallel microstrip line spacing for same waveguide port position. This configuration of the dielectric resonator is incorporated as the dielectric resonator matching model for stability performances of microwave amplifier. This investigation is evaluated for conditional stable and unconditional stable transistors at 5 GHz. In addition, the new dielectric permittivity is developed through their scattering parameters responses that referred to the previous transistor used investigation, especially dielectric resonator oscillator applications. The obtained of new dielectric permittivity that refers to the stable operating frequency of previous transistor used investigation is adopted into the best configuration of the proposed dielectric resonator as the homogenous dielectric
resonator. As results, the dielectric resonator matching model can be used for both conditional stable and unconditional stable transistors in maintaining their stability performances. The stability performances are greater than 1 which shown the microwave amplifier is operated in a stable region and successfully minimize the oscillation occurrences. Furthermore, the proposed dielectric resonator matching model has the potential to act as a variable frequency mechanism by the adopted different dielectric permittivity. Concurrently, the dielectric resonator matching model is easier to do adjustment after fabrication compared to the conventional matching method of microwave amplifier.
Dielectric resonator matching model for stability performances of microwave amplifier_Rashidah Che Yob_E3_2019_MYMY