'Multi Quantum Well Solar Cell' merupakan penambahbaikan maju sel solar konvensional untuk mengatasi masalah masalah dalam sel solar biasa. Dalam sel solar biasa, kadar penyerapan tenaga foton adalah rendah yang menyebabkan kadar penyerapan elektron menjadi rendah secara langsung. Hasil penyerapan elektron yang lebih rendah menjadi nilai yang lebih kecil semasa dan voltan menghasilkan. Oleh itu, pengenalan struktur baik kuantum multi di kawasan intrinsik sel solar telah diperkenalkan untuk membolehkan lebih banyak elektron diserap dan meningkatkan kecekapan sel solar. Kaedah yang dicadangkan dalam projek ini adalah untuk menggunakan bahan III-V iaitu Indium Gallium Arsenide (InGaAs) dan Indium Aluminium Arsenide (InAlAs) sebagai bahan quantumnya kerana tenaga jurang yang lebih besar. Di samping itu, untuk meningkatkan kecekapan sel solar, dalam projek ini, bilangan kuantum yang dan kedalaman kuantum yang berbeza untuk mengkaji prestasi sel suria pelbagai kuantum. Pemodelan 'Multi Quantum Well Solar Cell' dilakukan dengan menggunakan perisian Silvaco TCAD. Hasil yang dikumpulkan dalam penyelidikan ini untuk menilai prestasi sel suria MQW adalah voltan litar terbuka, arus litar pintas, faktor pengisi, kecekapan, kadar rekombinasi, tenaga gelang jeda dan tindak balas spektrum. Dalam kajian ini, peningkatan bilangan dan kedalaman kuantum yang baik, meningkatkan voltan litar pintas, kecekapan dan faktor penambah. Nilai voltan litar terbuka adalah malar walaupun bilangan dan kedalaman kuantum juga berubah. Akhir sekali, untuk mencapai nilai output sel suria yang lebih besar, jumlah kuantum perlu tinggi dan kedalaman kuantum harus mendalam untuk memastikan lebih banyak penyerapan elektron.
_______________________________________________________________________________________________________
Multi Quantum Well Solar Cell is an advanced improvement of the conventional solar cell to overcome problem encounter in a normal solar cell. In a normal solar cell, the photon energy absorption rate is low causing the electron absorption rate to be low directly. A lower electron absorption results in a smaller value of current and voltage generated. Therefore, the introduction of multi-quantum well structure in the intrinsic region of the solar cell was introduced to allow more electron is absorbed and increase the efficiency of the solar cell. The proposed method in this project is to use III-V material which is Indium Gallium Arsenide (InGaAs) and Indium Aluminium Arsenide (InAlAs) as its quantum well material.due to its greater band-gap energy. In addition, to increase the efficiency of the solar cell, in this project, the number of quantum well present and depth of the quantum well varies to study the performance of the multi-quantum well solar cell. The modeling of the multi quantum well solar cell is done by using the Silvaco TCAD software. The result collected in this project is to rate the performance of MQW solar cell are open circuit voltage, short circuit current, fill factor, efficiency, recombination rate, band-gap energy and spectral response. In this research, the increase of the quantum well number and depth, increases the short circuit voltage, efficiency and fill factor. The value of the open circuit voltage was constant even though the quantum well number and depth varies. Finally, to achieve a greater solar cell output value, the number of the quantum well should be high and the quantum well depths should be deeper in order to ensure more absorption of the electron.
Physical modeling of multi quantum well (mqw) p-i-n ingaas inalas Solar cell / Logaruthran Muniappan